在我們使用太陽光模擬器來測試非晶硅薄膜時應(yīng)該注意哪些注意點(diǎn)呢?根據(jù)小編發(fā)現(xiàn)有許多的人都不知道測試非晶硅薄膜應(yīng)該注意哪些，今天小編就給大家講一下太陽光模擬器測試非晶硅薄膜時應(yīng)注意的要點(diǎn)吧目前一些實(shí)驗(yàn)室或者測試機(jī)構(gòu)，經(jīng)常用晶硅太陽模擬器作為標(biāo)準(zhǔn)件來測試非晶硅薄膜"那么，如何正確比較不同材料，工藝的太陽模擬器的好壞或者適用性呢?在此，大致描述一下太陽光模擬器測試非晶硅薄膜的注意點(diǎn)。
 

　　非晶硅太陽模擬器電性能測試方法從原則到具體程序都和單晶硅、多晶硅太陽模擬器電性能測試相同，但必須注意以下幾點(diǎn)區(qū)別，否則可能導(dǎo)致嚴(yán)重的測量誤差。
 

　　、校準(zhǔn)輻照度：應(yīng)選用恰當(dāng)?shù)?、于非晶硅太陽模擬器測試的非晶硅標(biāo)準(zhǔn)太陽模擬器來校準(zhǔn)輻照度。如果采用單晶硅或者多晶硅太陽模擬器作為標(biāo)準(zhǔn)來校準(zhǔn)輻照度，將會得到毫無意義的測試結(jié)果。當(dāng)然，按照光譜失配的理論，如果所選的用的測試光源十分理想，那么，即使用單晶硅標(biāo)準(zhǔn)太陽模擬器校準(zhǔn)輻照度也能獲得正確的結(jié)果，當(dāng)然，這個在一般生產(chǎn)或者實(shí)驗(yàn)室是很難做到的。
 

　　第二、光源：用于非晶硅太陽模擬器電性能測試的太陽模擬器的光源應(yīng)盡可能選用在300納米到800納米波長范圍內(nèi)，光譜特性非常接近AM1.5太陽光譜。
 

　　第三、光譜響應(yīng)：太陽模擬器的光譜響應(yīng)就是當(dāng)某一波長的光照射在電池表面上時，每一光子平均所能收集到的載流子數(shù)。由于用不同材料和工藝制造的太陽模擬器的光譜響應(yīng)差異很大，同時考慮電池的光譜響應(yīng)和光源的光譜分布這兩個因素就能夠得到更好的測量結(jié)果;更進(jìn)一步來說，多結(jié)薄膜電池中各結(jié)的電流匹配也需要對每結(jié)的光譜響應(yīng)做出精密的測量。非晶硅太陽模擬器的光譜響應(yīng)特性與所加偏置光及偏置電壓有關(guān)，在非標(biāo)準(zhǔn)條件下進(jìn)行測試和換算時應(yīng)注意相關(guān)條件。
 

　　非晶硅的光譜響應(yīng)波長范圍為400納米到800納米，而單晶硅光譜響應(yīng)波長范圍為400納米到1100納米。由于模擬器用氙燈光源的光譜在800nm到1100nm的紅外區(qū)段的光譜比標(biāo)準(zhǔn)的AM1.5的光譜更為豐富。采用單晶硅標(biāo)準(zhǔn)件標(biāo)定太陽模擬器來測非晶硅太陽模擬器，在 800納米到1100納米波段對非晶硅太陽模擬器電流沒有任何貢獻(xiàn)，但對單晶硅太陽模擬器的電流有著非常大的貢獻(xiàn)，這就會產(chǎn)生嚴(yán)重的失配，導(dǎo)致非晶硅太陽模擬器的電流大幅度被壓低，引起嚴(yán)重的測量誤差。