太陽(yáng)模擬器主要用于太陽(yáng)電池的電性能測(cè)試，通過(guò)采集待測(cè)太陽(yáng)電池的伏安特性曲線，從而計(jì)算得到其功率Pmax、功率點(diǎn)電流Imax、功率點(diǎn)電壓Vmax、短路電流Isc、開(kāi)路電壓Voc、填充因子FF、光電轉(zhuǎn)換效率Eff、串聯(lián)電阻Rs、并聯(lián)電阻Rsh等參量。

　　

　　模擬器光輻照度的不均勻性，在組件I-V特性曲線異常中的影響是明顯的，也可能產(chǎn)生比較大的測(cè)量誤差。例如，在一個(gè)*模擬器下測(cè)量某個(gè)組件，一些輸出功率低的太陽(yáng)電池處于比較高的輻照度下，另一些輸出功率高的太陽(yáng)電池處于比較低的輻照度下。

　　

　　而在另一個(gè)*模擬器下測(cè)量恰好相反，就可能產(chǎn)生8%的短路電流測(cè)量值的差別。這個(gè)問(wèn)題可以通過(guò)對(duì)稱(chēng)測(cè)量的方法發(fā)現(xiàn)并消除。

　　

　　測(cè)量組件的太陽(yáng)模擬器的基本要求是：

　　

　　光輻照度在800—1200W/m2內(nèi)連續(xù)可調(diào)；

　　

　　在有效輻照面積內(nèi)的輻照不均勻度≤±2；

　　

　　輻照不穩(wěn)定度≤±1；

　　

　　*光譜分布。

　　

　　檢驗(yàn)輻照不均勻度的方法是，在測(cè)量區(qū)域內(nèi)：

　　

　　其中Emax代表該區(qū)域內(nèi)大輻照度，Emin代表該區(qū)域內(nèi)小輻照度。檢驗(yàn)輻照不穩(wěn)定度的方法相同，僅僅是要固定在一個(gè)點(diǎn)上在規(guī)定的時(shí)間間隔內(nèi)測(cè)量。

　　

　　反射光的影響是使光譜發(fā)生了改變，如同散射太陽(yáng)模擬器一樣。在相同的輻照度下，光譜的改變相當(dāng)于光子密度的變化，而且改變了太陽(yáng)電池內(nèi)部對(duì)光子的吸收的位置。這些改變，將引起太陽(yáng)電池曲線因子的輕微改變。